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如何在晶圓減薄機上提升砷化镓的TTV？
一、設備硬件與精度校準

1、主軸與旋轉台：氣浮 / 磁懸浮主軸徑向跳動 ≤0.2μm、軸向 ≤0.1μm；氣浮承載台平麵度 ≤5μm、徑向跳動 ≤2μm，抑製振動與偏擺。

2、Z軸與定位：直線電機+光柵尺，分辨率 0.0005mm、重複定位 ≤0.5μm；主軸 -- 承載台平行度校準至 ≤0.01°，避免傾斜導致的TTV偏差。

3、在線測厚：NCG測厚（精度 0.1μm，采樣 2ms/次），實時反饋厚度與TTV，為閉環補償提供依據。IPG測厚，精度1um，采樣時間可根據程序設定來調整。

4、平衡與校準：主軸動平衡至 G0.4級，減少高速振動；每班次校驗測厚係統，確保長期穩定。

二、工藝參數分段優化

1、分段研磨：粗磨（5-10μm/s，高去除率）→精磨（0.1-0.5μm/s，控TTV）→軟磨/拋光（低應力，降損傷），避免應力集中與表麵損傷。

2、壓力控製：分區壓力均勻分布，邊緣壓力降低 10%-20%，減少邊緣崩邊與翹曲；精磨階段壓力 ≤0.1MPa，抑製變形。

3、轉速匹配：主軸/承載台轉速比 2:1~3:1，保證研磨軌跡均勻，降低局部過磨；精磨轉速降低 20%-30%，提升均勻性。

4、冷卻與溫控：冷卻流量穩定，溫度 23±0.1℃，減少熱變形；砷化镓導熱差，避免磨削熱積聚導致的熱應力。